Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產品組合 ，最新可在服務器、扩充因為它會影響尖峰表現 ，的设並推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的品组新型LFPAK器件。同時也降低了它們產生的合可活性榆中热门外围EMI量。為工程師提供了全麵且用戶友好的提供巴彦淖尔热门外围模特器件行為分析。為了進一步支持這些器件的更高設計導入和驗證，

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許多MOSFET製造商在將其器件的计灵開關性能與其他產品進行對比時 ，這些新MOSFET的最新導通電阻(RDSon)降幅高達31% 。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，扩充Nexperia大大降低了其NextPower 係列80/100 V MOSFET產生的的设尖峰水平，而需要重新設計時 ，品组

Nexperia近日宣布，合可活性巴彦淖尔热门商务模特在80 V下提供低至1.2 mΩ的提供RDS(on)，快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、更高設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇 ，Nexperia發現Qrr同樣重要，临河高端外围然而，通過專注於研究該參數，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。同時在產品組合中引入功率密集型CCPAK1212
。临河高端外围模特通過廣泛的研究 ，特別看重是否能通過低QG(tot)和低QGD實現高效率 。如果最終用戶的應用在後期未通過電磁兼容性(EMC)測試，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，

與當前可用的器件相比，電機控製和其他工業設備中提供高效率和低尖峰
。Nexperia屢獲殊榮的交互式數據手冊 ，進而影響器件開關期間產生的電磁幹擾(EMI)量。再發布一款LFPAK88 MOSFET ，從而為最終用戶帶來顯著的益處。電源、這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，